基本信息
标准名称: | 硅片局部平整度非接触式标准测试方法 |
英文名称: | Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning |
中标分类: | 冶金 >> 金属化学分析方法 >> 半金属及半导体材料分析方法 |
ICS分类: | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料试验综合 |
发布部门: | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国家标准化管理委员会 |
发布日期: | 2005-09-19 |
实施日期: | 2006-04-01 |
首发日期: | 2005-09-19 |
作废日期: | 1900-01-01 |
主管部门: | 信息产业部(电子) |
提出单位: | 中国有色金属工业协会 |
归口单位: | 信息产业部(电子) |
起草单位: | 洛阳单晶硅有限责任公司 |
起草人: | 史炯、蒋建国、陈兴邦、贺东江、王文、邓德翼 |
出版社: | 中国标准出版社 |
出版日期: | 2005-12-16 |
页数: | 16开, 页数:9, 字数:14千字 |
计划单号: | 20011279-T-610 |
书号: | 155066.1-26922 |
适用范围
本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。本标准适用于无接触、非破坏性地测量干燥、洁净的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100mm及以上、厚度250μm及以上腐蚀、抛光及外延硅片。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类: 冶金 金属化学分析方法 半金属及半导体材料分析方法 冶金 金属材料试验 金属材料试验综合